Electronic Grade Aluminum Hypophosphite

ອາລູມິນຽມລະດັບ hypophosphite ເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ພັດທະນາແລະຜະລິດໂດຍ Taixing ນະວັດຕະກໍາຮັບຮອງເອົາເຕັກໂນໂລຢີຫຼັກຂອງການຊໍາລະວັດຖຸດິບຊັ້ນຮຽນເອເລັກໂຕຣນິກແລະການດັດແກ້ລະດັບຄວາມແມ່ນຍໍາ. ມັນໃຊ້ຄວາມບໍລິສຸດສູງ Al (H ₂ PO ₂) I3 ເປັນມາຕຣິກເບື້ອງ, ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງກວ່າ 99.8% ແລະມີເນື້ອໃນ phosphorus ≥ 42.5%. ມັນສົມທົບການຕ້ານການໄຟໄຫມ້ປະສິດທິພາບແລະປະສິດທິພາບໄຟຟ້າທີ່ດີເລີດ. ມີພຽງແຕ່ 6% -10% ນອກຈາກນັ້ນ, ມັນສາມາດບັນລຸຄວາມຫນາ 1.6 ມມ UL 94 V-0 flame retardant, ຢ່າງສົມບູນແກ້ໄຂບັນຫາອຸດສາຫະກໍາຂອງ retardants flame ແບບດັ້ງເດີມ "ການປົນເປື້ອນ substrates, ແຊກແຊງກັບການປະຕິບັດໄຟຟ້າ, ແລະບໍ່ສາມາດຕອບສະຫນອງການປະຕິບັດຕາມເກຣດເອເລັກໂຕຣນິກ". ມັນສະຫນອງການແກ້ໄຂວັດສະດຸຫຼັກທີ່ປອດໄພແລະສອດຄ່ອງສໍາລັບການຜະລິດເອເລັກໂຕຣນິກລະດັບສູງ.

ຄວາມເຂັ້ມແຂງຫຼັກ

1. Ultra ສູງຄວາມບໍລິສຸດແລະ impurities ຕ່ໍາ, ເຫມາະສົມສໍາລັບຄວາມຕ້ອງການເກຣດເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ເຄັ່ງຄັດ

- ຂັ້ນຕອນການຊໍາລະລ້າງຂັ້ນສຸດທ້າຍຮັບປະກັນຄວາມບໍລິສຸດ: ການນໍາໃຊ້ການປະສົມປະສານຂອງ "ການຫລໍ່ຫລອມຫຼາຍຂັ້ນຕອນ + ການກັ່ນຕອງຄວາມແມ່ນຍໍາ + ສູນຍາກາດ degassing", ຄວາມບໍລິສຸດຂອງຜະລິດຕະພັນແມ່ນ ≥ 99.8%, ສູງກວ່າມາດຕະຖານອຸດສາຫະກໍາ 99%, ປະສິດທິຜົນການກໍາຈັດສິ່ງເສດເຫຼືອທີ່ເປັນອັນຕະລາຍເຊັ່ນ: chloride ions (≤ 1.0%) ແລະ sulfates ≤ 0.000. ການເຄື່ອນຍ້າຍ impurity ທີ່ອາດຈະເຮັດໃຫ້ອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກວົງຈອນສັ້ນຫຼືການເສື່ອມສະພາບປະສິດທິພາບ.

-Ultra low heavy metal residue: ໂດຍຜ່ານການກວດຫາ ICP-MS, ເນື້ອໃນທັງຫມົດຂອງໂລຫະຫນັກເຊັ່ນ: ນໍາ, mercury, cadmium, ແລະອື່ນໆແມ່ນ ≤ 0.5ppm, ຕ່ໍາກວ່າຄວາມຕ້ອງການ RoHS 2.0. ບໍ່ມີສານຕົກຄ້າງຂອງ phthalates (DEHP / BBP, ແລະອື່ນໆ), ຕອບສະຫນອງມາດຕະຖານ "ມົນລະພິດຕ່ໍາ, ຄວາມສະອາດສູງ" ຢ່າງເຕັມສ່ວນສໍາລັບວັດສະດຸເກຣດເອເລັກໂຕຣນິກ.

ເນື້ອໃນ phosphorus ສູງເຮັດໃຫ້ປະສິດທິພາບການຕ້ານການ flame retardancy: ມີເນື້ອໃນ phosphorus ≥ 42.5%, ປະສິດທິພາບ retardancy flame ເພີ່ມຂຶ້ນ 40% ເມື່ອທຽບກັບ hypophosphite ອາລູມິນຽມທໍາມະດາ. ຫຼັງຈາກການປະສົມກັບ synergists ເຊັ່ນ MCA ແລະ APP, ການເພີ່ມ 8% ກັບ substrate PCB ສາມາດບັນລຸລະດັບ V-0 flame retardancy ໂດຍບໍ່ມີການຜົນກະທົບຕໍ່ຄຸນສົມບັດ dielectric ຂອງ substrate ໄດ້.

2. ປະສິດທິພາບໄຟຟ້າທີ່ດີເລີດຮັບປະກັນການດໍາເນີນງານທີ່ຫມັ້ນຄົງຂອງອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກ

-Low dielectric loss and high insulation: dielectric constant (1MHz) ≤ 3.8, dielectric loss factor ≤ 0.005, volume resistivity ≥ 10 ¹⁴Ω· cm. ການເພີ່ມເຕີມບໍ່ໄດ້ມີການປ່ຽນແປງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຂອງຄຸນສົມບັດໄຟຟ້າຂອງ substrate ໄດ້, ຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງການສົ່ງສັນຍານຂອງການຫຸ້ມຫໍ່ semiconductor ແລະອຸປະກອນການສື່ສານຄວາມຖີ່ສູງ.

ຄຸນລັກສະນະການເຄື່ອນຍ້າຍ ion ທີ່ໂດດເດັ່ນ: ຫຼັງຈາກຖືກຈັດໃສ່ໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຊຸ່ມຊື່ນແລະຮ້ອນຂອງ 85 ℃ / 85% RH ສໍາລັບ 1000 ຊົ່ວໂມງ, ບໍ່ມີປະກົດການເຄື່ອນຍ້າຍ ion ຢ່າງຊັດເຈນ, ຫຼີກເວັ້ນອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກຈາກປະສົບການ "ຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງການເຄື່ອນຍ້າຍໄຟຟ້າ" ແລະຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການການບໍລິການໄລຍະຍາວຂອງແບດເຕີລີ່ພະລັງງານໃຫມ່, ອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກ, ລົດຍົນອື່ນໆ.

-Good non corrosiveness and compatibility: ຄ່າ pH ຄົງທີ່ຢູ່ທີ່ 3.5-4.5, ແລະບໍ່ມີຜົນກະທົບ corrosive ກ່ຽວກັບການຕິດຕໍ່ໂລຫະແລະແຜງວົງຈອນ. ມັນມີຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ດີກັບຊັ້ນຮອງຊັ້ນເອເລັກໂຕຣນິກເຊັ່ນ epoxy resin, PA, PBT, ແລະອື່ນໆ, ແລະບໍ່ເຮັດໃຫ້ເກີດການເຊື່ອມໂຊມຂອງຊັ້ນໃຕ້ດິນຫຼືການເສື່ອມສະພາບການປະຕິບັດ.

ສະຖານະການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

ພາກສະຫນາມການຫຸ້ມຫໍ່ semiconductor ແລະເອເລັກໂຕຣນິກ

- ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ: ອຸປະກອນການຫຸ້ມຫໍ່ຊິບ semiconductor, ອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກ, ທີ່ຢູ່ອາໄສວົງຈອນປະສົມປະສານ

-As ເປັນ filler dielectric ຕ່ໍາເພື່ອທົດແທນບາງຝຸ່ນຊິລິຄອນຈຸນລະພາກ, ປະລິມານເພີ່ມເຕີມແມ່ນ 15-30%. ໃນຂະນະທີ່ຮັກສາຄວາມຄ່ອງຕົວ, ມັນຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຄົງທີ່ຂອງ dielectric ໂດຍ 0.2-0.3 ແລະປັບປຸງການຕິດໄຟເປັນ UL94 V-0. ມັນຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການຫຸ້ມຫໍ່ CPU, GPU, ແລະການເກັບຮັກສາຊິບ.

ພາກສະຫນາມກະດານວົງຈອນພິມ (PCB).

- ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ: ອຸປະກອນການຍ່ອຍສະຫຼາຍ PCB, laminates ທອງແດງທົນທານຕໍ່ໄຟ, ແຜ່ນກະດານວົງຈອນ.

-Low loss copper-clad laminate (CCL): composite with high-frequency resins such as PTFE, PPO, cyanate ester, etc., ດ້ວຍການເພີ່ມ E-AHP100 ຂອງ 20-40%, ບັນລຸ Dk 3.2-3.8 ແລະ Df<0.005, ຕອບສະຫນອງຄວາມຮຽກຮ້ອງຕ້ອງການຂອງຄື້ນ backboard server 5G millimeter ແລະຄວາມໄວສູງ.

If you are looking for electronic grade aluminium phosphate, flame retardants ສໍາລັບອົງປະກອບເອເລັກໂຕຣນິກ, flame retardants ສໍາລັບ PCB substrates , ແລະ flame retardants ສໍາລັບຫມໍ້ໄຟພະລັງງານໃຫມ່, Taixing will be your best partner and we will provide the lowest price cooperation!